１　はじめに
　2SDタイプのトランジスタは1,700種以上開発されています。(2021年1月現在)　手元のトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。

２　2SDタイプ

2SD24Y 三洋電機
1960年代初期開発の三洋電機製トランジスタです。低周波高耐圧増幅用です。ラインオペレートのテレビ音声出力段によく使用されていました。2SD24は工業用です。構造がMeからTMeになり、2SD24Yとなりました。
型名 Type	社名 Mnf.	用途 Application	構造 Material and structure	最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=70℃)						電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)										外形 Package No.
				VCBO (V)	*VCER (V) (ＲＢＥ＝ 2.7kΩ)	VEBO (V)	IC (mA)	PC (mW)	Tj (ﾟC)	ICBO最大値		直流又はパルスhFE			バイアス		fT (MHz)	Cob (pF)	rbb(Ω)* CCrbb' (pS)
										(μA)	VCB (V)	最小/標準/最大 min/typ/max	VCE (V)	IC (mA)	VCB (V)	IE (mA)
2SD24	三洋電機	AF.PA	Si.Me	300	*300	2	100	6W	150	1.5	100	20/60/200	10	50	30	20	/25/	17		TO-66 99
2SD24	三洋電機	AF.PA	Si.Me	300	*300	4	100	4W	110	1.0	100	/60/	10	50	30	20	/25/	17
2SD24Y	三洋電機	AF.PA	Si.TMe	300	*300	4	150	6.5W	150	1.5	100	30/60/250	10	50	30	20	/8/	12
2SD24Y	三洋電機	AF.PA	Si.TMe	300	*300	4	150	6.5W	150	1.0	100	30/60/250	10	50	30	20	/8/	12

2SD47 SONY

1960年代のSONY製トランジスタです。低周波増幅用です。2SC41を製造したときに周波数特性の悪いものを選別して2SD47としたようです。ケースはアルミ合金で軽いです。1964年10月の価格は、2SD47-A、2SD47-B、2SD47-Cの順に、1500円、1700円、1900円でした。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD47-A 2SD47-B 2SD47-C

SONY

AF.PA

Si.Me

100

50

6

5A

50W

150

5mA

15

12/ /32 24/40/64 48/ /128

10

1A

102 TO-3

2SD65　 SONY

この外形は18です。外形58は後期で単純な円柱状です。

1960年のSONY製トランジスタです。低周波増幅用です。SONY製のラジオによく使用されていました。外形は古典的です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD65

SONY

AF.

Ge.A

25

100

120

75

15

25

50

1

10

6

-1

0.8

35

18 58

2SD68C　 三洋電機

1960年代のトランジスタで、低周波電力増幅用です。このころの技術では、ICBO最大値が大きくならざるを得なかったようです。下表で黒文字は三洋電機のハンドブックからの転載、赤文字はCQ出版社トランジスタ規格表からの転載です。 CQ出版社の規格表ではfTが100MHzと高いですが誤記のようです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Tc=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V) RBE=100Ω

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IC (A)

2SD68

三洋

AF.PA

Si.TMe

75

75

5

5A

50W

150

10mA 5mA

60

15/50/ /80/

5

1A

10

0.5

/40/ /100/

350

102

2SD69 　SONY

1960年代のSONY製トランジスタです。低周波電力増幅用です。SONY製のオーディオアンプによく使用されていました。画像のようにロットによってリード線のガラス封入部の大きさが違うものがあります。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD69

SONY

AF.PA

Si.TMe

140

140

3A

50W

150

100

50

/150/

3

100

102

2SD73　2SD74　　日本電気　NEC

2SD73と2SD74は工業用及び通信用で、製造時期によってE及びBリード線引き出し部の構造が異なっています。1960年頃2SD73と2SD74が開発され、1969年頃コンプリメンタリーの2SB506が開発されています。コンプリメンタリー指定が1対1の関係ではないのは珍しいです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD73

NEC

AF.PA.SW

Si.E.Mesa

100

60

5.0

5A

60W

175

5mA

100

25/70/140

10

1A

10

0.3A

/20/

102

2SD74

NEC

AF.PA.SW

Si.E.Mesa

150

90

5.0

5A

60W

175

5mA

150

25/70/140

10

1A

10

0.3A

/20/

102

2SB506

NEC

AF.PA.SW

Si.E.Mesa

-150

-100

-7.0

-5A

60W

175

-2mA

-100

35/70/200

-10

-1A

-10

-0.3A

/10/

102

2SD75 　日立製作所

2SB75とコンプリメンタリーです。1968年時点で早くも廃止予定となっていました。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD75

日立

AF.LSW.

Ge.A

25

25

12

100

150

85

14

25

/40/

6

1

6

-1

*4

12A

2SD88 　SONY

準コンプリメンタリオーディオ出力用によく使用されたNPNトランジスタです。画像は、通信工業用のタイプです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD88

SONY

AF.PA

Si.TMe

100

55

12

5A

80W

150

100

50

/80/

3

2A

102

2SD92 　サンケン

白黒テレビの垂直偏向出力や安定化電源に使用されました。製造後、耐圧別に形式番号を割り当てたようです。2SD90のように低電圧でも漏れ電流が大きいと使用する気がしません。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fab (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD90

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

30

20

6

3A

20W

150

200

20

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

100 TC-9,TB-12

2SD91

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

60

40

6

3A

20W

150

50

40

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD92

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

100

55

6

3A

20W

150

30

50

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD93

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

150

70

6

3A

20W

150

30

50

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD94

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

200

80

6

3A

20W

150

30

50

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD121 　日立製作所

1961年頃開発のトランジスタです。コレクタはケースに接続されています。スイッチング速度特性は、ton=0.75μS、tf=0.6μS、tstg=4.1μSです。電卓に使用されていました。は「日立通信工業用品種」を示します。2SD121にはなしタイプはありません。はhFEの区分です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fαb (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD121 2SD121

日立

SW.

Si.DJ

100

55

12

1.5A

1.0W 4W

175

10

30

15/ /40 35/ /100

4

200

12

-50

0.8/1.9/

84B TC-5、TB-5B

2SD235　東京芝浦電気

1970年頃開発のトランジスタです。2SB435とコンプリメンタリです。安価で大量に出回っていたため、よく使用しました。付きは工業用です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD235 R 2SD235 O 2SD235 Y

東芝

AF PA

Si.DJ

50

40

10

3A

1.5W 25W

150

100

20

40/ /80 70/ /140 120/ / 240

5

500

5

-500

/1/

250

TO-220AB SC-45 2-10

2SD235 R 2SD235 O 2SD235 Y

東芝

AF PA

Si.DJ

50

40

10

3A

1.5W 25W

150

100

40

40/ /80 70/ /140 120/ / 240

5

500

10

-500

/1/

250

TO-220AB SC-45 2-10

2SD291、2SD292 　SONY

CQ出版社の規格表では、2SD290のICBO最大値については、転記ミスをしたようです。数値的には最大定格と矛盾しています。コレクタ損失はSONY資料により修正しました。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD290

SONY

LF PA.

Si.TMe

80

80

5A

23W 10W

120

100

150

/100/

3

2A

153 TC-9,TB-12

2SD291

SONY

RF. LF PA.

Si.DJ

70

40

10

3A

18W

150

20

30

/100/

1

100

10

-500

/4/

250

153 TC-9,TB-12

2SD292

SONY

LF PA.

Si.DJ

70

55

10

3A

23W 18W

150

20

30

/100/

1

100

10

-500

/4/

250

153 TC-9,TB-12

2SD535　日本電気

日本電気のシリーズ制御電源用トランジスタです。このトランジスタは、大電流になるとhFEが急減する特性であり、過大電流が流れにくく、耐破壊性に優れているとのことです。 比較的短命のトランジスタですが、大陸製の偽物があります。詳細データシートはインターネット上にはありませんでした。上記グラフは本家のデータブックからです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD535

NEC

LF.PA

Si.TMe

250

120

10

12A

150W

150

100

120

40/75/200

5

2.0A

TO-3 TC-3,TB-3 C14A,B18

2SD669A　日立製作所

高耐圧のオーディオ用トランジスタです。終段用ドライバーとしてよく使用されていました。ICは、最大100mA程度までで使用するのが良いようです。 2SD669と2SD669Aは、それぞれ2SB649と2SB649Aのコンプリメンタリです。 このトランジスタは、大陸製の偽物が大量にあります。インターネット上で検索すると9割がたは偽物や互換品と思われるものがヒットします。 本物と偽物は下記のような差があります。カッコ内は偽物の事例です。まず、レジンモールドの色は灰色(黒)で、上部左右と下部中央(以外)に浅い窪み(窪みの位置が異なったり、深い窪みや窪み内に刻印)があります。日立のマーク(立の字の縦の棒がない。立の字が非対称。)やhFEのアルファベットが形式番号の次の行右端で丸囲み(丸囲みではない。または形式番号と同じ行。)。形式番号は横書き(縦書き)です。裏の金属部分が八角形(八角形でなかったり、一部が欠けている。)。真中のリード線の根元が少し太い(同じ太さ)。 左の画像は本物です。リード線をフォーミングしていますが、新品ではストレートです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD669 2SD669 2SD669

日立

AF.PA

Si.E

180

120

5

1.5A

1W 20W

150

10

160

60/ /120 100/ /200 160/ /320

5

150

5

150

/140/

14

TO-126 160

2SD669A 2SD669A

日立

AF.PA

Si.E

180

160

5

1.5A

1W 20W

150

10

160

60/ /120 100/ /200

5

150

5

150

/140/

14

TO-126 160

2SD777　東京芝浦電気

このトランジスタはラインオペレートのテレビ電源回路専用に1970年代後半頃開発されました。使用に当たっては、整流回路からの+電圧をコレクタに、負荷回路をエミッタ側に接続します。負荷回路に供給する電圧はラインオペレートですので、定格で最大140V程度です。電源スイッチ投入直後で負荷電圧が0Vのときは、トランジスタのC-E間に最大電圧が印加され、B-C間に接続されている内蔵ツェナーダイオードによりコレクタ側からベース電流が供給され、負荷電圧が急速に立ち上がり始めます。そして、負荷電圧が100V程度に達すると、内蔵ツェナーダイオードは導通しなくなり、ベースに接続されている電源電圧調整回路からのベース電流のみで制御されるようになります。内蔵抵抗の2Ωは立ち上がり時の最大電流を制限するためのものです。 このように、特定電圧、特定回路での使用を目的としたトランジスタは大変珍しいです。前述の用途以外では、内部抵抗が大きく損失が大きい、C-E間にVz以上の電圧をかけられないなど、大変使いにくく汎用性のないトランジスタです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD777

東芝

Reg.

Si.DJ

55±10

55±10

6

4A

100W

150

500/1000/2500

5

500

5

-500

TO-3 TC-3,TB-3 2-21A1A

2SD1590　日本電気

1985年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。2SB1099とコンプリメンタリです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。このパッケージのトランジスタは多種発表されました。 　後述する2SD2162はパッケージ違いで、中身は全く同一です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD1590 M 2SD1590 L 2SD1590 K

日本電気

AF.PA LS SW.

Si.EP

150

100

7

8A

25W 2W

150

1.0

100

2000/ /5000 3000/ /7000 5000/ /15000

2

3A

MP-45

2SD2061　ROHM

1987年開発の低周波電力増幅用トランジスタです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。明示的に示されてはいませんが、2SB1370とコンプリメンタリです。hFEでDランクがあることになっていますが、生産後期にはなくなっています。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD2061 D 2SD2061 E 2SD2061 F

ROHM

AF.PA

Si.TP

80

60

5

3A

30W 2W

150

10

60

60/ /120 100/ /200 160/ /320

2

3A

5

0.5A

/8/

70

381 SC-67

2SD2162　日本電気

1989年開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。前述の2SD1590とはパッケージ違いで、中身は全く同一です。よって電気的には2SB1099とコンプリメンタリです。 　なぜ、パッケージ違いにしたのかは不明です。 　3A程度でhFEが最大値となります。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD2162 M 2SD2162 L 2SD2162 K

日本電気

AF.PA LS SW.

Si.EP

150

100

7

8A

25W 2W

150

1.0

100

2000/ /5000 3000/ /7000 5000/ /15000

2

3A

SC-67

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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